在美国更严厉的制裁下，中国向EUV芯片制造技术继续迈进

尽管面临美国日益严格的制裁措施，中国正积极研发极紫外（EUV）光刻技术以推进高端芯片制造的发展。面对美国对先进半导体制造设备的限制，中国正在探索新的途径来克服这些障碍。

哈尔滨工业大学在2024年12月30日因一项与EUV激光相关的项目获得了一等奖，标志着中国在此领域的突破。该项目由赵永鹏教授领导，专注于开发一种高效能转换、低成本、小型化且相对技术难度较低的放电等离子体EUV光源。这种光源能够产生波长为13.5纳米的极紫外光，满足当前市场对EUV光源的迫切需求。

目前，全球仅荷兰的阿斯麦（ASML）公司能够生产用于制造7纳米及以下芯片的EUV设备。然而，由于美国的出口管制，中国无法直接获取这些先进技术。面对这一挑战，中国采用了不同于阿斯麦LPP（激光产生的等离子体）方法的LDP（激光诱导放电等离子体）法。这种方法通过蒸发少量锡并在两个电极之间形成云，然后利用高电压将其转化为等离子体，从而生成EUV光。相比阿斯麦的技术，中国的解决方案更为简便和经济，同时具有更高的能量效率。