中国芯片突破：全新存储级内存挑战英特尔Optane ，超越NAND的高性能存储级内存解决方案

中国芯片制造商新村科技（Numemory）近日推出了一款类似于英特尔Optane的存储级内存（SCM）产品。尽管英特尔和美光等国际巨头已暂停类似技术的研发，但新村科技却成功开发出一款结合动态随机存取存储器（DRAM）性能与NAND闪存非易失性特性的新型存储设备。

根据官方信息，新村科技的第一代存储芯片NM101采用64Gb（8GB）单层单元（SLC）3D堆叠架构，并配备了行业标准的3200 MT/s NAND接口。这款芯片可以用于固态硬盘（SSD），实现每秒加载10GB高清视频的高性能表现，符合PCIe 5.0 x4接口的现代主流SSD性能水平。然而，关于数据保持率和写入耐久性的具体细节尚未公布。

今年早些时候，新村科技推出了第二代产品NM102，其容量翻倍至128Gb（16GB），但仍保留SLC架构和1.2V I/O电压。这一改进使得基于NM102构建更高容量的存储设备成为可能，尽管当前的64Gb和128Gb芯片对于经济可行的消费级SSD来说仍显不足。例如，需要128或64个IC才能构建1TB SSD，这对于M.2-2280模块来说是一个挑战。不过，对于企业级U.2、ruler或插卡式SSD而言，这种限制影响较小。

新村科技并未透露其产品的底层架构细节，仅表示这是一种“用于大规模量产的有前途的下一代非易失性存储技术”。与英特尔Optane（3D XPoint）相比，新村科技的SCM在延迟方面尚未提供明确数据。英特尔Optane承诺10~15微秒的读取延迟和超过200微秒的写入延迟，而现代3D TLC NAND则具有80微秒的读取延迟和数百微秒的写入延迟。相比之下，DDR5 SDRAM的延迟仅为10~20纳秒。

值得注意的是，新村科技成立于2022年7月，专注于开发存储级内存技术。作为中国努力实现关键芯片供应自给自足的一部分，该公司的成果被视为中国半导体能力提升的重要里程碑。尽管目前的产品价格较高，但对于一些特定应用领域，如高性能计算和数据中心，这种技术仍然具有吸引力。