黄仁勋预言全环绕栅极GAA晶体管技术革命：英伟达下一代GPU性能跃升20%

在近日举行的GTC大会问答环节中，英伟达CEO黄仁勋透露，采用全环绕栅极（GAA）晶体管的下一代制程技术，有望为该公司处理器带来高达20%的性能提升。这一表态引发业界对英伟达未来技术路线的广泛猜测。

技术路线图浮出水面
黄仁勋在回应关于2028年"费曼"架构的提问时表示，转向GAA技术预计将实现约20%的性能增益。不过他也强调，在摩尔定律放缓的背景下，工艺进步带来的提升已不再具有颠覆性。"我们会接受这些改进，"黄仁勋表示，"但更重要的是架构创新和能效管理。"

据现场参与问答的本刊记者Jarred Walton观察，黄仁勋似乎有意淡化制程节点的重要性。这番表态是对分析师关于三星代工可能性的回应，但并未明确透露具体代工选择。

制程演进路线
英伟达历来采取稳健的制程策略：

当前产品线采用台积电4N/4NP工艺（5nm优化版）

明年将推出的"Rubin"AI GPU预计采用3nm级工艺

2028年"费曼"架构可能搭载台积电N2P或A16工艺

值得注意的是，台积电首款GAA工艺N2预计较N3E提升10-15%性能。若采用2027年量产的N2P或A16工艺，20%的性能提升目标具有现实基础。A16工艺更引入背面供电技术，承诺额外8-10%性能提升。

超越硬件的战略视野
黄仁勋多次强调，英伟达已转型为"AI基础设施提供商"。虽然持续引领GPU创新，但公司更专注于提供基础技术而非终端解决方案。在AI算力需求爆发的当下，英伟达正从单纯的芯片设计商，发展为涵盖服务器、机架乃至整个AI计算生态的系统级供应商。

行业分析师指出，20%的性能提升预估反映出半导体行业的新常态——在物理极限逼近的背景下，需要制程、架构、封装等多维度的协同创新。英伟达的路线图选择，或将重新定义后摩尔定律时代的芯片发展范式。